MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION AND SOFTWARE
Refer to the following documents, tools and software to aid your design process.
Application Notes
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AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
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EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
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Electromigration MTTF Calculator
?
RF High Power Model
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.s2p File
For Software, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the “Part Number” link. Go to the Software &
Tools tab on the part's Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2010
?
Initial Release of Data Sheet
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相关PDF资料
MRF8S21200HSR6
MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3
FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3
FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5
MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3
FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3
FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3
MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
相关代理商/技术参数
MRF8S21140HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3_12
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S21172HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21200HR5
功能描述:射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
MRF8S21200HR6
功能描述:射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel